[11p-M113-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

△ [11p-M113-4] 相補型高周波増幅器応用に向けた(111)ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価

〇(B)久樂 顕¹、今西 祥一朗¹、大井 信敬¹、大久保 智¹、堀川 清貴¹、蔭浦 泰資¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早稲田大学、2.早大材研)

キーワード：高周波FET、相補型高周波増幅器、ダイヤモンド

2DHGダイヤモンドは、GaN n-FETと相補的な回路を構成できる唯一のp-FETである。GaN n-FETは(111)ダイヤモンド基板上にヘテロエピタキシャル成長にて形成でき、同基板で近い性能のp-FETを得ることができればモノリシック相補型高周波増幅器が実現できる。本研究では、同基板上に2DHGダイヤモンドMOSFETsを作製し、高電圧 (|V_DS| ≥ 30 V)での高周波特性を評価した。