[11p-M113-1~20] 6.2 Carbon-based thin films

[11p-M113-6] Selective growth of diamond (111) by metal mask and its application for hydrogen terminated diamond FET

〇Masataka Imura¹, Hirotaka Oosato¹, Meiyong Liao¹, Yasuo Koide¹ (1.NIMS)

Keywords:Diamond, Semiconductor

ダイヤモンドは多くの優れた特性を有するため、過酷な環境下で動作可能な低消費電力・大電力制御用の次世代パワーデバイス材料として期待されている。現在、積極的に研究されているダイヤモンドデバイスは、水素終端ダイヤモンドを用いた表面チャネルFETであり、デバイス特性の更なる改善には、表面平坦性の優れたダイヤモンドホモエピタキシャル膜を用いてMOSもしくはMIS構造を形成することが必要であると考えられる。本研究では、メタルマスクを用いて平坦性の優れた(111)ダイヤモンド表面を得る検討を行った。また得られた膜を用いてMOS構造を形成し、FET特性を調査したので報告する。