[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-PA4-12] tBGeを用いたSi(001)基板上へのGe薄膜成長における成長温度の影響

〇岩本 晃一郎¹、秋田 裕紀¹、白倉 翔太郎¹、河野 将大¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工)

キーワード：ゲルマニウム、シリコン