[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-PA4-2] GaInSbチャネルHEMT構造のゲート・チャネル間距離パラメータが電気的特性に与える影響

〇岸本 尚之¹、遠藤 勇輝¹、林 拓也¹、平岡 瑞穂¹、町田 龍人¹、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大)

キーワード：高電子移動度トランジスタ、分子線エピタキシー、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体

HEMTの高速化は、小さな電子有効質量を有するInSbをチャネル層としたHEMT構造が有望であるが、伝導帯不連続（ΔE_c）は 0.27 eV程度と小さい。一方、GaInSb をチャネル層としたHEMT構造は、ΔE_c を 0.48 eV程に大きくすることが可能である。加えて、HEMTの高速化にはゲート長の微細化と合わせてゲート・チャネル間距離を短縮するスケーリングが必要であり、本研究ではチャネル層膜厚及びスペーサ層膜厚を変化させて電気的特性を評価した。