[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[11p-PA4-4] Three-pulse photon echo measurements on nitrogen delta-doped GaAs

〇Yuichi Takubo¹, Hikaru Ishizawa¹, Yoshiki Sakuma², Michio Ikezawa¹ (1.Tsukuba Univ., 2.NIMS)

Keywords:Four-wave mixing, nitrogen delta-doped GaAs

GaAs中に希薄にデルタドープされた窒素不純物によって形成される発光中心は数百ps程度の短い寿命を持つ明るい単一光子源として有用である。我々は以前、これらの窒素発光中心に束縛された励起子のコヒーレンスを評価するために、２パルスのヘテロダイン検出縮退四光波混合(FWM)を用いてフォトンエコー信号を観測し、位相緩和時間を測定した。今回、３パルスによる誘導エコーを観測したので報告する。