2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年3月11日(月) 13:30 〜 15:30 PA4 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[11p-PA4-6] InAsサブモノレイヤー構造における光アップコンバージョン過程

水野 皓登1、Yuwei Zhang1、神谷 格1 (1.豊田工業大学)

キーワード:サブモノレイヤー、アップコンバージョン、中間バンド型太陽電池

InAs/GaAsサブモノレイヤー(SML)構造は中間バンド型太陽電池等への応用が検討されているが、アップコンバージョン過程はあまり調べられていない。。本研究ではSML層とInGaAs量子井戸層を組み合わせた試料を用い、フォトルミネッセンス(PL)測定とup-converted PL(UPL)測定を実施し、アップコンバージョン過程におけるキャリアダイナミクスと、SML構造中のInAs分布がアップコンバージョンに及ぼす影響を検討した。