[11p-PA5-1~3] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[11p-PA5-1] (110)面歪みSi薄膜のラマン分光法による歪み評価

〇有元 圭介¹、各川 敦史¹、斎藤 慎吾¹、原 康祐¹、山中 淳二¹、中川 清和¹ (1.山梨大)

キーワード：歪みSi

集積回路の更なる高性能化のため、キャリア移動度の向上が求められている。(110)面上に形成した伸張歪みSiは高い実効正孔移動度を示すことが実証されている。我々は、この構造におけるSi層中の歪みの安定性について調べている。本研究では、固体ソースＭＢＥ法により作製した歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造に対し偏光顕微ラマンマッピング測定を行い、ラマンシフトの空間分布の評価を行った。