[11p-PA6-1~7] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[11p-PA6-4] マスクを用いたイオン照射によって形成される格子欠陥の制御方法

〇仲田 有希¹、八木 孝秀¹、曽我部 正嗣¹ (1.住重アテックス（株）)

キーワード：半導体、イオン照射、格子欠陥

イオン照射の工業利用の一つに半導体の特性向上がある。これは、半導体ウエハに局所的に格子欠陥を形成することで、素子のライフタイム制御を行うものである。我々は、デバイスの高性能化につながるような、より自由な格子欠陥形成方法を提案するために、マスクを利用した二つの方法を検討した。本研究ではマスクの作製とこれらを使用したイオン照射を行い、本技術の実現の可能性について検討を行った。