[11p-PA8-1~5] 9.3 ナノエレクトロニクス

[11p-PA8-2] ゲート容量が不均一な共通ゲート三重ドット単電子デバイスの安定領域の解析

〇渡辺 雄介¹、今井 茂¹ (1.立命大理工研)

キーワード：単電子デバイス