[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-12] ALD-Al₂O₃膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価

〇(B)斉藤 早紀¹、細見 大樹¹、古岡 啓太¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：AlGaInN、MIS、HFET