[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-15] Mgイオン注入後高温熱処理前のGaNの電気的特性に対するドーズ量の影響(2)

〇(M1)鴨志田 亮¹、植竹 啓¹、村井 駿太¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入

GaNデバイス作製プロセスにおいて、イオン注入技術が期待され、特にp型領域を形成するにはMgイオン注入が有効な手段となる可能性が高いが、未だ完成された技術とはなっていない。技術確立のためには、Mgイオン注入により、GaNバルク中および表面において発生する欠陥準位や表面準位について調べ、それらの熱的な振る舞いを理解することが重要である。本報告では、Mgイオン打ち込みを行ったGaNに対し、アクセプタ活性化アニールを施す前の電気的特性において、低温アニールが与える影響についてドーズ量を変えて調べた。