[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-17] GaN基板上MOVPE p-GaNの浅い準位の評価

〇(B)吉田 光¹、小木曽 達也¹、徳田 豊¹、成田 哲生²、冨田 一義²、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：p-GaN

浅い準位の評価に適したアドミタンス分光を用い、MOVPE成長p-GaNの浅い準位の評価を行った。また、850 ℃活性化熱処理時間 (5分、5時間)の影響についても検討した。活性化熱処理時間5分、5時間p-GaNともMgアクセプタの活性化エネルギーは0.21 eVと求まった。5時間p-GaN試料では、トラップC (Ev+0.21 eV)とトラップD (E_v+0.11 eV)が観測され、あらたなトラップの生成を示している。