[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-25] 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製

〇中村 祐志¹、桝谷 聡士²、嘉数 誠²、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪市大院工、2.佐賀大院工)

キーワード：ダイヤモンド、半導体