[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-27] 1対の電子チャネルと正孔チャネルを有する
AlGaAs/GaAs/AlGaAsヘテロ構造ダイオードの耐圧特性

〇尾川 弘明¹、大保 嵩博¹、田浦 成幸¹、櫛田 知義^1,2、岩田 直高¹ (1.豊田工大、2.トヨタ自動車株式会社)

キーワード：GaAs、ヘテロ構造ダイオード、スーパー接合

1対の電子および正孔チャネルを有するAlGaAs/GaAs/AlGaAsヘテロ構造スーパー接合トランジスタ (HSJ) の電流変調特性を前回報告した．高耐圧化のためには，チャネル形成用のアクセプター濃度とドナー濃度を一致させる必要がある．今回，Siドナー濃度1.1×10¹² cm^-2に対して，残留C不純物を考慮して，Cアクセプター濃度を0.7×10¹² cm^-2と設計した．このウエハを用いて，横型HSJダイオードを試作評価したところ，52 µmのドリフト長で約600 Vの高耐圧を得た．