[11p-PB3-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11p-PB3-8] Recovery Process of Characteristic Change of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Induced by Gamma-ray Irradiation

〇Koki Tsurimoto¹, Hasahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:GaN, HEMT, gamma-ray

GaN HEMTは次世代の耐放射線デバイスとして期待されている。本研究では、市販のp-GaN/AlGaN/GaN HEMTにガンマ線を照射し、その際に起こる特性変化とそのメカニズム解明を目的としている。前回までにGaN Systems社GS66502Bにガンマ線照射による特性変化が見られることを報告した。今回は、同素子のガンマ線照射後のデバイス特性の室温及び高温での回復過程について報告する。