[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-8] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による特性変化の回復過程

〇釣本 浩貴¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、ガンマ線

GaN HEMTは次世代の耐放射線デバイスとして期待されている。本研究では、市販のp-GaN/AlGaN/GaN HEMTにガンマ線を照射し、その際に起こる特性変化とそのメカニズム解明を目的としている。前回までにGaN Systems社GS66502Bにガンマ線照射による特性変化が見られることを報告した。今回は、同素子のガンマ線照射後のデバイス特性の室温及び高温での回復過程について報告する。