[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [11p-S011-12] 深紫外透明電極応用に向けたMgZnO薄膜の吸収端制御

〇酒井 忠慶¹、久志本 真希¹、出来 真斗²、本田 善央^2,3、天野 浩^2,4,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大高等研究院、4.赤崎記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：透明導電膜、酸化物、紫外LED

紫外LEDの透明電極の実現に向け、酸化物材料のMgZnOに着目し、その初期検討として二元共スパッタリング法を用いた組成制御を行った。