2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年3月11日(月) 13:45 〜 18:45 S011 (南講義棟)

佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー)、西中 浩之(京都工繊大)、池之上 卓己(京大)

17:30 〜 17:45

[11p-S011-14] 酸化物半導体薄膜の成長および特性に及ぼすポリマー基板表面における原子レベルパターンの影響

〇(M1)大賀 友瑛1、岩佐 健1、山田 志織1、金子 智2,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード:ポリマー、原子レベルパターン、酸化物半導体薄膜

ポリマー材料は酸化物薄膜などと組み合わせたフレキシブルデバイスへの応用が注目されている。ガラス転移温度以下かつポリマー上での酸化物薄膜の特性向上には、核形成および成長方位の制御が重要となる。我々は、熱ナノインプリント法によるポリマー基板表面への原子ステップ形状の転写などについて報告してきた。本研究では、ポリマー表面の原子レベルパターンが酸化物薄膜の成長と特性に及ぼす影響について検討した。