[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [11p-S011-3] Van der Waals epitaxy of flexible ε-Ga₂O₃ thin films by mist chemical vapor deposition

〇(M1)Yuta Arata¹, Daisuke Tahara¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:gallium oxide, van der Waals epitaxy, flexible electronics

本研究では、大きな分極を持つことが理論的に示されている強誘電体ε-Ga₂O₃を、ミストCVD法を用いて合成MICA基板上へvan der Waals epitaxyさせた。その結果、フレキシブルかつ可視光に対して透明なε-Ga₂O₃薄膜の成長に世界で初めて成功した。