2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[11p-S223-1~16] 13.8 光物性・発光デバイス

2019年3月11日(月) 13:45 〜 18:00 S223 (S223)

七井 靖(青学大)、舘林 潤(阪大)

14:00 〜 14:15

[11p-S223-2] ZnInP量子ドットを用いた狭発光スペクトル緑色EL素子

本村 玄一1、小倉 渓1、長久保 準基2、平川 正明2、西橋 勉2、都築 俊満1 (1.NHK技研、2.アルバック)

キーワード:量子ドット、量子ドットEL素子、発光スペクトル

量子ドットは高色純度の発光が得られる材料として、広色域ディスプレイへの応用が期待されている。カドミウムフリーなInP系の量子ドットを用いたEL素子の高色純度化に向けて、シェル構造を改良したZnInP量子ドットを合成し、量子ドットEL素子を作製した。この量子ドットを用いたEL素子は、半値幅は49 nm、ピーク波長528nmの緑色EL発光を示した。