2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[11p-S223-1~16] 13.8 光物性・発光デバイス

2019年3月11日(月) 13:45 〜 18:00 S223 (S223)

七井 靖(青学大)、舘林 潤(阪大)

14:15 〜 14:30

[11p-S223-3] Tm添加AlGaNにおける青色発光遷移過程の光学特性評価

市川 修平1、高津 潤一1、藤 諒健1、Dolf Timmerman1、舘林 潤1、藤原 康文1 (1.阪大院工)

キーワード:窒化アルミガリウム、希土類元素、有機金属気相成長

我々はこれまでに、有機金属気相成長法(OMVPE)により希土類元素のTmをAlGaN結晶中にin-situ添加し、これを活性層とすることでTmイオンに由来する狭帯域青色発光を観測してきた。波長465 nmおよび480 nm付近での発光が得られており、それぞれ4f殻内の1D2−3F4遷移および1G4−3H6遷移に対応する発光と考えられる。青色発光領域での狭帯域発光デバイス応用を目指し、発光特性を自在に制御するためには、これら遷移過程に関する十分な知見を得ることが求められる。本研究では、1D2−3F4遷移および1G4−3H6遷移過程についてPL測定により評価し、各遷移の励起・緩和過程に関して特徴的な知見を得たので報告する。