2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.4 アナログ応用および関連技術

[11p-S321-1~17] 11.4 アナログ応用および関連技術

2019年3月11日(月) 13:45 〜 18:30 S321 (S321)

成瀬 雅人(埼玉大)、川上 彰(情通機構)、武田 正典(静大)

13:45 〜 14:00

[11p-S321-1] 磁性薄膜を用いたホットエレクトロンボロメータミキサの評価

川上 彰1、入交 芳久1、鵜澤 佳徳2 (1.情通機構、2.国立天文台)

キーワード:HEB、ミキサ、テラヘルツ

広IF帯域幅及び感度向上を目指して,磁性薄膜を用いた新たなホットエレクトロンボロメータミキサ(Ni-HEBM)を提案している.実際にNi-HEBMを試作し,その雑音温度およびIF帯域幅評価を行った結果,2 THzにおける受信機雑音温度1220 K(DSB),1.9 THzにおけるIF帯域幅約6.9 GHzの優れた特性を得た.