[11p-S321-1~17] 11.4 アナログ応用および関連技術

[11p-S321-2] Nb₃Ge超伝導薄膜の作製

〇川上 彰¹、寺井 弘高¹、鵜澤 佳徳² (1.情通機構、2.国立天文台)

キーワード：Nb3Ge、SIS

THz帯SISミキサ用同調回路構築のため，Nb₃Ge超伝導薄膜の作製を試みた．成膜方法として膜組成制御の自由度が高い多元同時スパッタ法を採用した．ターゲット材料としてNb，Ge，Siを用意し，各々の投入電力を制御することで組成制御を行った．基板ヒーター温度920℃に設定，Nb₃Ge薄膜を成膜した．得られた薄膜の膜厚は180 nm，超伝導転移温度は約21 K，抵抗率は約45 マイクロオームcmであった．