[11p-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-S422-2] InAs/GaAs量子ドット赤外線検出器における片側AlGaAs層の効果

〇吉川 弘文^1,3、權 晋寛¹、土江 貴洋^1,3、和泉 真³、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.シャープ)

キーワード：量子ドット、赤外線検出器

量子ドット赤外線検出器（QDIP：quantum dot infrared photodetectors）は、量子ドットにおける三次元方向の量子閉じ込めにより高感度および高温動作が期待されている。今回、高感度化・高温動作化に向けた構造として片側障壁層に着目し、Al組成の異なる片側AlGaAs層を有するInAs/GaAs量子ドット赤外線検出器を作製した。結果、片側AlGaAs層のAl組成を高めることによる比検出能の向上を明らかにしたので報告する。本結果は、高感度化・高温動作化に向けたQDIP構造の最適化において重要な指針となることが期待される成果である。