[11p-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [11p-S422-4] 二重層構造を有するInAs/GaAs長波長量子ドットの成長

〇ZHAN WENBO¹、權 晋寛¹、渡邉 克之¹、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研)

キーワード：量子ドット、ヒ化インジウム、二重層構造

量子ドットの概念が提案された以来、サイズ制御および歪み緩和層の導入などで長波化を図られてきた。しかし、InAs/GaAs材料起因の問題より、1.4μm以上の長波長では、発光強度などの特性の顕著な低下が報告されている。本報告では、InAs/GaAs二重層構造を有する量子ドット構造を成長し、InGaAs歪み緩和キャッピングを行うことで、1.45μm付近で19.5meVの狭線幅を持つことを確認したので報告する。