[11p-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-S422-5] 1.5µm帯メタモルフィックInAs/GaInAs/GaAs量子ドットのMBE成長

〇渡邉 克之¹、詹 文博¹、角田 雅弘¹、權 晋寛¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット、インジウムヒ素、メタモルフィック

メタモルフィックInAs/GaInAs/GaAs量子ドットについて、GaInAs層のIn組成依存性を系統的に調べた。In組成を0.2から0.35までに増やすことで、InAs量子ドットの室温発光波長の1.3µmから1.5µmまでの長波長化を達成した。