[11p-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-S422-6] 変調中間層による歪制御積層InAs量子ドットの光学特性制御

〇(M2)鈴木 幹人¹、下村 憲一¹、神谷 格¹ (1.豊田工大)

キーワード：InAs量子ドット、歪緩和、電子状態

我々は既に歪を制御することで、常・極低温の双方で1.55µｍより長波長に発光するGaAs基板上InAs QDの作製に成功したが、素子応用にはこの構造で、QD表面を覆うInGaAs薄膜の厚膜化が課題となっている。また、QDの下地もGaAsからInGaAsにすることで、よりQD内部を歪緩和し、発光波長を制御できることを報告したが、このQD下地層の変化が与える発光への寄与については、未解明な点が少なくない。今回の報告では、QD下地を変調することで歪制御を行った構造の光学特性について、結晶状態と歪を考慮しながら報告する。