[11p-S423-1~18] 11.1 基礎物性

[11p-S423-14] FeTe_xSe_1-x単結晶への微細加工素子を用いた対破壊電流密度測定

大沼 遥¹、孫 悦¹、峯 直輝¹、野地 尚²、小池 洋二²、為ヶ井 強³、鮎川 晋也⁴、〇北野 晴久¹ (1.青学大理工、2.東北大工、3.東大院工、4.岡山大理)

キーワード：鉄カルコゲナイド超伝導体、臨界電流密度

FeTe_xSe_1-x単結晶ベースの超伝導素子開発に向け、多結晶や薄膜に限られていた電気化学処理を集束イオンビームで作製した微小ブリッジ部に適用すると共に、電流電圧特性から対破壊電流密度の評価を試みた。講演では、電流電圧特性から得られたc軸方向の臨界電流密度が、面直磁場に対する磁化測定の結果に比べて約１桁大きいことから、対破壊効果に起因する臨界電流密度と見なせること、および電気化学処理との組み合わせ方法について議論する。