[11p-W321-1~14] 13.9 化合物太陽電池

[11p-W321-12] 表面活性化接合によるGaAs//InGaAs 2接合太陽電池の開発

〇渡辺 健太郎¹、福谷 貴史²、ソダーバンル ハッサネット¹、中野 義昭^1,2、杉山 正和^1,2 (1.東大先端研、2.東大工)

キーワード：多接合太陽電池、表面活性化接合、III-V族化合物半導体

表面活性化接合法を用いて、InP基板上にエピタキシャル成長したInGaAs単接合セルとGaAs基板上に成長したGaAs単接合セルを積層することによってGaAs//InGaAs 2接合太陽電池を形成し、評価を行った。AM1.5G光照射下のI-V特性から、各サブセルの解放電圧の和に近い1.3Vの解放電圧が得られたことで、直接接合した界面を介しての多接合動作が確認された。