[11p-W321-1~14] 13.9 化合物太陽電池

[11p-W321-13] GaAs//Si系三端子型スマートスタック多接合太陽電池の検討

〇牧田 紀久夫¹、太野垣 健¹、水野 英範¹、馬場 将亮²、中西 明日香²、高遠 秀尚¹、山田 昇²、菅谷 武芳¹ (1.産総研、2.長岡技科大)

キーワード：多接合太陽電池、接合技術、三端子型

複数の異なる吸収帯を有するPN接合を積層した多接合太陽電池は、太陽光スペクトルの有効活用により高効率が得られる。多接合太陽電池は、サブセルを直列接続した二端子型が通常であるが、セル間の電流整合のために綿密な構造設計を要し、かつスペクトル変動の耐性にも課題がある。我々は、本背景のもと三端子型スマートスタック多接合太陽電池の検討を行ってきた[1]。スマートスタック技術[2]は、Pdナノ粒子を介在し、容易に異種材料セルを接合することが特徴である。本研究では、スマートスタック技術を用い、InGaP/GaAs//Si三端子型多接合太陽電池を試作したので報告する。