[11p-W321-1~14] 13.9 化合物太陽電池

[11p-W321-4] 多光子励起フォトルミネッセンスによる格子不整合系逆成長InGaAs単一接合太陽電池のバッファ層内における転位の観察

〇小倉 暁雄¹、谷川 智之²、高本 達也³、大島 隆治⁴、菅谷 武芳⁴、今泉 充¹ (1.宇宙機構、2.東北大金研、3.シャープ（株）、4.産総研)

キーワード：転位、多光子励起フォトルミネッセンス、太陽電池

InGaP/GaAs/InGaAs構造を有する格子不整合系逆成長3接合型太陽電池の更なる高効率化を図るためには，バッファ層内から発生する貫通転位を減少させる必要がある．今回，InGaAsの単一接合太陽電池を作製し，多光子励起フォトルミネッセンス法を用いてバッファ層内における転位の観察を試みた．焦点を試料深部へ移すことで，バッファ層のヘテロ構造部で発生するミスフィット転位・貫通転位の様子を非破壊観察することに成功した．