[11p-W321-1~14] 13.9 化合物太陽電池

[11p-W321-9] 直接半導体ウェハ接合法によるオーミック特性をもつInP/Si界面の形成

〇井上 諒一¹、田辺 克明¹ (1.京大工)

キーワード：半導体ウェハ接合、多接合太陽電池、オーミックヘテロ構造

ウェハ接合は、低結晶欠陥密度の格子不整合ヘテロ構造形成法であることから、高効率な多接合太陽電池の作製法として期待されている。本研究では、低コストなことから太陽電池への使用が有望視されるSiと代表的III-V化合物半導体の一つであるInPのヘテロ構造を形成した。接合前にウェハに対して適切な表面前処理を施すことでオーミックな電気特性を持つ接合界面の形成を実現した。