[11p-W331-1~12] 3.15 シリコンフォトニクス

[11p-W331-5] RAS法による(Er,Y)₂SiO₅結晶を用いた導波路型増幅器の作製

〇霞 朋樹¹、一色 秀夫¹、ガブリエル デルガド¹、田中 康仁²、中村 弦人¹ (1.電通大、2.シンクロン)

キーワード：シリコンフォトニクス

オンチップ集積可能の光増幅媒質として(Er,Y)₂SiO₅結晶を提案した．この結晶の成膜方法として，Radical-Assisted Sputtering法(RAS法)を用いた．RAS法はスパッタリング法の一種で層状の堆積が可能である．また，スパッタリング工程と酸化工程が時間的，空間的に分離されている，堆積時間によって膜厚を制御できるなどのメリットがある．本研究では開発中のRAS for Lab.を用いて(Er,Y)₂SiO₅結晶の作製を行い，発光特性を評価した．また，(Er,Y)₂SiO₅結晶による導波路型増幅器を作製した．