[11p-W351-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

[11p-W351-1] 組成相境界近傍のPZTエピタキシャル薄膜における微細構造

〇木口 賢紀¹、清水 匠¹、白石 貴久¹、今野 豊彦¹ (1.東北大金研)

キーワード：強誘電体、PZT、組成相境界

本研究では薄膜における圧電特性向上のため、バルク結晶で報告された歪傾斜領域の高密度化による組織制御をPZT薄膜において展開することを目的とする。