[11p-W351-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

△ [11p-W351-2] 組成相境界近傍組成を有するPZT膜の電界下X線回折測定

〇(M1)井上 英久¹、一ノ瀬 大地¹、清水 荘雄¹、舟窪 浩¹ (1.東工大)

キーワード：強誘電体、圧電体

我々は正方晶PZT膜において分極処理、および電界印加下で結晶構造が大きく異なることを見出している。このことは、MPB近傍の組成のPZT膜においても分極処理および電界印加下で結晶構造の大きな変化が起きている可能性を示唆している。しかし、MPB付近のPZT薄膜について分極処理および電界印加下の結晶構造の解明を系統的に調べた研究はほとんどない。本研究では、MOCVD法によって作製した膜について上記の検討を行ったので報告する。