[11p-W351-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

△ [11p-W351-3] RFスパッタ法により作製したPZT系エピタキシャル薄膜のMPB特性

〇(M1C)野田 隆太^1,2、清水 貴博^1,2、和佐 清孝⁴、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早稲田大学、2.材研、3.JSTさきがけ、4.横浜市立大)

キーワード：PZT、MPB

バルクPZTの電気機械結合係数k₃₃はMPB付近で最大になることが知られており，アクチュエータやセンサなど様々なデバイスに応用されている．しかしながら我々のグループがスパッタ法で作製したPbTiO₃エピ膜のk_tは，再現性良くMPB付近のPZTエピ膜よりも高くなる．さらにバルクのキュリー温度を大きく超えた550℃付近でも圧電性を維持することも発見しており，バルクとスパッタエピ膜では特性が異なることがわかっている．そこで本研究では，様々な組成のPZTエピ膜をスパッタ法により作製し，それぞれの格子定数，誘電率，電気機械結合係数，抗電界を評価した．