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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[11p-W351-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

2019年3月11日(月) 13:00 〜 17:00 W351 (W351)

平永良臣(東北大)、恵下隆(和歌山大)、木口賢紀(東北大)

15:15 〜 15:30

[11p-W351-9] スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO3薄膜のエピタキシャル成長

〇岡本直樹¹、和泉享兵¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府院工)

キーワード：強誘電体、BiFeO3、MEMS