[11p-W521-1~18] 17.3 層状物質

[11p-W521-4] UV-O₃表面酸化によるHfS₂ MOSFETの性能改善

〇張 文倫¹、金澤 徹¹、北村 稔¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大)

キーワード：二次元材料、電子デバイス

遷移金属ダイカルコゲナイドはバンドギャップを有する層状物質群であり、原子層の厚さを用いた極短チャネル領域における電界効果トランジスタへ(FET)の応用が期待されている。HfS₂は単原子層において高い電子移動度(~1,800 cm²/Vs)が予測されると同時に低オフ電流が見込めるバンドギャップ(~1.2 eV)を有しており、チャネル材料として優れた性質が期待される。
これまでにHfS₂ MOSFETの動作を報告している一方で、界面トラップの影響でサブスレッショルドスイングが大きいという問題がある。本報告ではUV-O₃表面処理を用いてHfS₂の表面層を天然酸化膜HfO_xに変換し、界面特性を改善した効果について報告する。