[11p-W521-1~18] 17.3 層状物質

[11p-W521-8] イオン液体ゲートを用いた遷移金属ダイカルコゲナイドトランジスタにおけるデバイスシミュレータの開発

〇植田 暁子¹、張 奕勁^2,3、佐野 伸行⁴、今村 裕志¹、岩佐 義宏⁵ (1.産総研、2.大阪大工、3.マックスプランク研、4.筑波大電物、5.東大工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、ドリフト拡散シミュレーション、イオン液体ゲート

イオン液体ゲートを用いた遷移金属ダイカルコゲナイドトランジスタは、両極性伝導、バレー特性を活かした電気的な円偏光の方向の制御、高濃度のキャリア誘起による超伝導などが報告されており、新機能デバイスとして注目を集めている。トランジスタの機能制御を最適化するには、デバイスシミュレーションを行うのが有効であるが、イオン化液体ゲートトランジスタのシミュレーションは確立していない。我々は、ドリフト拡散法を用いて、イオン液体ゲートWSe2トランジスタのシミュレーションを行い、両極性伝導の実験の再現などに成功した。本講演では、通常用いられる固体ゲートトランジスタのシミュレーションとのモデルの違いを解説する。