The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

Mon. Mar 11, 2019 1:30 PM - 7:00 PM W541 (W541)

Munetaka Arita(Univ. of Tokyo), Ryuji Katayama(Osaka Univ.), Atsushi Kobayashi(Univ. of Tokyo)

1:30 PM - 1:45 PM

[11p-W541-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Threading Dislocation Reduction of Sputter-Deposited AlN Templates for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Device Applications

Kenjiro Uesugi1, Yusuke Hayashi2, Kanako Shojiki3, Kentaro Nagamatsu1, Hideto Miyake2,3 (1.SPORR, Mie Univ., 2.Grad. School of RIS, Mie Univ., 3.Grad. School. of Eng., Mie Univ.)

Keywords:AlN, sputtering, annealing

これまでに、スパッタ成膜とface-to-face高温アニールを組み合わせた低転位密度AlNテンプレート作製技術に関して報告してきた。AlNの応力制御によるクラック抑制と各種条件の最適化により2.07 e8 /cm2の貫通転位密度を実現し、MOVPEホモエピタキシャル成長により平坦性の高い表面が得られることも確認された。AlNテンプレートの低転位密度化の進捗と併せて、深紫外発光素子への応用に向けた展望を述べる。