[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 深紫外発光素子応用に向けたスパッタ成膜AlNテンプレートの転位密度低減

〇上杉 謙次郎¹、林 侑介²、正直 花奈子³、永松 謙太郎¹、三宅 秀人^2,3 (1.三重大地域創生戦略企画室、2.三重大院地域イノベ、3.三重大院工)

キーワード：AlN、スパッタ、アニール

これまでに、スパッタ成膜とface-to-face高温アニールを組み合わせた低転位密度AlNテンプレート作製技術に関して報告してきた。AlNの応力制御によるクラック抑制と各種条件の最適化により2.07 e8 /cm2の貫通転位密度を実現し、MOVPEホモエピタキシャル成長により平坦性の高い表面が得られることも確認された。AlNテンプレートの低転位密度化の進捗と併せて、深紫外発光素子への応用に向けた展望を述べる。