[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-10] Remote homoepitaxial growth of GaN using RF-MBE

〇Ukyo Ooe¹, Shinichiro Mouri¹, Yasushi Nanishi¹, Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Molecular Beam Epitaxy, graphene

機械剥離可能で良質な単結晶が得られるという期待から、グラフェン上に窒化物半導体を成長する研究が進められている。一方、単層グラフェンを緩衝層として利用することで、疑似的にホモエピタキシーされ、基板と同等品質の剥離可能結晶が得られることが、報告されている。本研究では、この手法を、窒化物半導体結晶成長へ応用することを目指しており、RF-MBE法を用いたGaN薄膜成長へ向けた検討を行う。