[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-11] ブランキングを有したピコ秒レーザPLD成長GaN成膜の均一性改善

〇児玉 和樹¹、小笠原 直¹、上田 大助¹ (1.京都工芸繊維大)

キーワード：ピコ秒レーザPLD、レーザブランキング、窒化ガリウム

GaNデバイスは低損失・高耐圧な電力変換素子として期待されているが、更なる低損失化にはコンタクト抵抗の低減が必須になる。これまでにピコ秒レーザPLD法を用いてAlGaN/GaNヘテロ構造上にn^＋型GaN選択再成長層を形成することで低コンタクト抵抗を実現した。しかし、シート抵抗の面内均一性が悪いことに課題が残っていた。本研究では、レーザ照射にブランキング時間を取り入れることで、シート抵抗の均一性の大幅な改善を確認した。