[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-18] Design and fabrication of optical cavity by arranged GaN nanocolumns

〇(M1C)Toshihiro Takagi¹, Hiroto Sekiguchi¹, Yoshikazu Tamai¹, Keisuke Yamane¹, Hiroshi Okada¹, Katsumi Kishino², Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Univ. Tech, 2.Sophia Univ)

Keywords:GaN, Eu, nanocolumns

Eu添加GaN (GaN:Eu) は, シャープな発光スペクトルを示し, 環境温度に依存しない特徴をもつ. 本研究では, GaN:Eu結晶と微小共振器を一体集積を目指し, ナノコラムによるフォトニック結晶効果を得るための設計と配列化されたGaN:Euナノコラムの成長を行った. 高成長温度, 低窒素流量においてパターン内の意図しない自己形成ナノコラムが抑制された. 設計条件を満たす直径180 nm, 周期185 nm, 充填率94.6%のGaNナノコラムによる空孔型フォトニック構造が得られた.