[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-19] RF-MBE法を用いたAlN/Si基板上への規則配列Eu添加GaNナノコラムの成長

〇(M1C)藤原 慎二郎¹、関口 寛人¹、助川 睦¹、玉井 良和¹、山根 啓輔¹、岡田 浩¹、岸野 克巳²、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大、2.上智大)

キーワード：希土類、窒化物、ナノコラム

単一光子源の実現に向けて、発光特性の環境温度耐性が高く、波長再現性が極めて高いEu添加GaN(GaN:Eu)に着目し、無転位性という特徴をもつナノコラム結晶を用いた。また、ナノコラム1本での評価が必要であるため、選択成長法を活用した。従来用いられたGaN薄膜上への成長はイエロールミネッセンスが問題となるためAlN/Si基板を用いた。成長はRF-MBE法を用いて行い、成長したGaN:EuナノコラムをSEM像での観測と光学特性評価を行った。