[11p-W621-1~18] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[11p-W621-5] XANES測定によるIr触媒からの単層カーボンナノチューブ成長機構の解明

〇(M2)岡田 拓也¹、サラマ カマル¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹、丸山 隆広¹ (1.名城大理工)

キーワード：単層カーボンナノチューブ、CVD法

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は様々な優れた電気的特性をもつことか ら、エレクトロニクス分野への応用が期待されている。しかし、その実現にはカイラリテ ィの均一化と収量増加が不可欠である。我々のグループは、昨年の秋の応用物理学会で Ir 触媒を用いることで、直径が 1 nm 程度以下でカイラリティ分布の狭い SWCNT が垂直配 向して成長することを報告した。本研究では、Ir 触媒からの SWCNT 成長メカニズムを 明らかにするため、X 線吸収端微細構造（XANES）測定を行った。