[11p-W810-1~17] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [11p-W810-3] 高抵抗動作を目指したCu上部電極型Ta₂O_5-δ抵抗変化多値メモリ

〇李 遠霖¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、森江 隆² (1.北大・院情報、2.九工大・生命体工)

キーワード：人工シナプス、抵抗変化メモリ、アナログ動作

抵抗変化型メモリReRAMは、シナプスのようなアナログ抵抗変化（MS）をし、不揮発性、耐久性、省電力の特徴で研究者の注目を集めている。CuやTaを上部電極としたTa₂O_5-δReRAMはMSの可能性が示された。本研究では、上部電極TEによる特性の違いに注目し、ニューラルネットワークの構築に適した、耐久性と高抵抗を持つTa₂O_5-δReRAMの実現を目指す。