[11p-W810-1~17] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [11p-W810-4] 電圧記録型メモリで観測されるシナプス的挙動

〇(M1)渡邊 佑紀¹、小林 成¹、清水 亮太^1,2、西尾 和記¹、リウ ウェイ³、渡邉 聡³、一杉 太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東大工)

キーワード：シナプス、イオン伝導体、メモリデバイス

脳型コンピュータは低消費電力という点で注目されている。脳における情報処理の鍵であるシナプスを模した素子として、我々は電圧記録型メモリに着目した。このメモリはLi/Li₃PO₄/Ni積層構造を有し、Li-Ni電極間に印加する電圧によりNi電極表面のLi電析量が変化することに対応して素子の開放端電圧が変化する。本研究では、このメモリにパルス電圧を印加し、その印加頻度を変調した電圧記録について調べた。