[11p-W833-1~12] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

[11p-W833-3] Electrical properties of silicon quantum dot film in oxygen atmosphere

〇Seiya Hokazono¹, Shinya Kano¹, Minoru Fujii¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:silicon quantum dot, evaluation of electrical properties

半導体量子ドットは、真空装置を用いずに大面積に半導体薄膜を形成できるというプロセス上の利点から、近年注目を集めている。我々は、表面が高濃度のホウ素(B)とリン(P)を含むシェルに覆われたシリコン(Si)量子ドットを開発しており、これを基板上に塗布することにより均一なSi量子ドット塗布膜を形成できる。今回の発表では、酸素雰囲気中におけるSi量子ドット塗布膜の電気伝導度が、真空中と比較して向上することを報告する。