[11p-W834-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-W834-1] Mg₂Siフォトダイオードの分光感度の接合深さ依存性

〇鵜殿 治彦¹、鬼沢 雄馬¹、中野 達也¹ (1.茨城大)

キーワード：シリサイド半導体